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价格(含税)
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品类: RAM芯片描述: AS7C164 系列 64 kb (8 K x 8) 5 V 10 ns CMOS 静态 RAM - SOJ-28178110-99￥10.2720100-499￥9.7584500-999￥9.41601000-1999￥9.39892000-4999￥9.33045000-7499￥9.24487500-9999￥9.1763≥10000￥9.1421 -
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品类: EEPROM芯片描述: MICROCHIP 24LC64-I/MS EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8位, 400 kHz, I2C, MSOP, 8 引脚11545-24￥3.118525-49￥2.887550-99￥2.7258100-499￥2.6565500-2499￥2.61032500-4999￥2.55265000-9999￥2.5295≥10000￥2.4948 -
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品类: EEPROM芯片描述: 1024位的1-Wire EEPROM独立的存储器页面可永久 1024-Bit, 1-Wire EEPROM Individual Memory Pages Can Be Permanently80551-9￥64.607010-99￥61.7980100-249￥61.2924250-499￥60.8991500-999￥60.28111000-2499￥60.00022500-4999￥59.6070≥5000￥59.2699 -
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品类: EEPROM芯片描述: Configuration Device 20Pin PLCC Configuration Device 20Pin PLCC86675-24￥1.417525-49￥1.312550-99￥1.2390100-499￥1.2075500-2499￥1.18652500-4999￥1.16035000-9999￥1.1498≥10000￥1.1340 -
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品类: EEPROM芯片描述: 24AA64/24FC64/24LC64 I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24AA64/24FC64/24LC64 系列设备 64 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。 ### 特点 单电源，操作降低至 1.7V（24AA64/24FC64 设备），2.5V（24LC64 设备） 低功率 CMOS 技术：最大有源电流 3 mA，最大待机电流 1μA 2 线串行接口，I2C™ 兼容 采用 3 地址引脚封装，可级联多达 8 台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 1 MHz 时钟，用于 24FC64 型号 页面写入时间 5 ms（最大） 自定时擦除/写入周期 32 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年668510-99￥6.2760100-499￥5.9622500-999￥5.75301000-1999￥5.74252000-4999￥5.70075000-7499￥5.64847500-9999￥5.6066≥10000￥5.5856 -
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品类: EEPROM芯片描述: PROM Serial 512Kbit 3.3V 20Pin PLCC27215-24￥2.565025-49￥2.375050-99￥2.2420100-499￥2.1850500-2499￥2.14702500-4999￥2.09955000-9999￥2.0805≥10000￥2.0520 -
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品类: EEPROM芯片描述: 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) XC17S20XLPD8C DIP-829755-49￥35.076650-199￥33.5776200-499￥32.7382500-999￥32.52831000-2499￥32.31842500-4999￥32.07865000-7499￥31.9287≥7500￥31.7788 -
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品类: RAM芯片描述: CMOS静态RAM 1兆欧（ 64K ×16位） CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)60801-9￥116.000510-49￥112.974450-99￥110.6544100-199￥109.8474200-499￥109.2422500-999￥108.43531000-1999￥107.9309≥2000￥107.4266 -
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品类: RAM芯片描述: 铁电存储器(FRAM), 2 Mbit(256K x 8)SPI, 25 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-838365-24￥4.131025-49￥3.825050-99￥3.6108100-499￥3.5190500-2499￥3.45782500-4999￥3.38135000-9999￥3.3507≥10000￥3.3048 -
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品类: EEPROM芯片描述: 24AA256/24FC256/24LC256 I²C™ 串行 EEPROM ### EEPROM 串行存取 - Microchip289510-99￥10.2480100-499￥9.7356500-999￥9.39401000-1999￥9.37692000-4999￥9.30865000-7499￥9.22327500-9999￥9.1549≥10000￥9.1207 -
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品类: EEPROM芯片描述: MICROCHIP 24LC515-I/SM EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIJ, 8 引脚80681-9￥42.785410-99￥40.3305100-249￥38.5069250-499￥38.2263500-999￥37.94571000-2499￥37.63012500-4999￥37.3496≥5000￥37.1742 -
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品类: RAM芯片描述: F-RAM，Cypress Semiconductor Ferroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。34515-24￥1.687525-49￥1.562550-99￥1.4750100-499￥1.4375500-2499￥1.41252500-4999￥1.38135000-9999￥1.3688≥10000￥1.3500 -
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品类: EEPROM芯片描述: 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) EPC2LI20N PLCC-2055061-9￥237.486510-49￥231.291250-99￥226.5415100-199￥224.8894200-499￥223.6503500-999￥221.99831000-1999￥220.9657≥2000￥219.9332 -
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品类: EEPROM芯片描述: FPGA 5V 20Pin PLCC54981-9￥1770.934010-24￥1754.834625-49￥1746.784950-99￥1738.7352100-149￥1730.6855150-249￥1722.6358250-499￥1714.5861≥500￥1706.5364 -
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品类: EEPROM芯片描述: MICROCHIP 93C46B/SN EEPROM, 微型导线, 1 Kbit, 64 x 16位, 2 MHz, 串行微丝, SOIC, 8 引脚33065-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
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品类: EEPROM芯片描述: 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) EPC1LI20 PLCC-2082341-9￥99.808510-99￥95.4690100-249￥94.6879250-499￥94.0804500-999￥93.12571000-2499￥92.69172500-4999￥92.0842≥5000￥91.5635 -
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品类: EEPROM芯片描述: FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz87475-49￥17.187350-199￥16.4528200-499￥16.0415500-999￥15.93871000-2499￥15.83582500-4999￥15.71835000-7499￥15.6449≥7500￥15.5714 -
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品类: EEPROM芯片描述: EEPROM, 4KX1, Serial, PDSO8, 0.208INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-873421-9￥43.993210-99￥41.4690100-249￥39.5939250-499￥39.3054500-999￥39.01691000-2499￥38.69242500-4999￥38.4039≥5000￥38.2236 -
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品类: Flash芯片描述: SST25VF016B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip571310-99￥7.7280100-499￥7.3416500-999￥7.08401000-1999￥7.07112000-4999￥7.01965000-7499￥6.95527500-9999￥6.9037≥10000￥6.8779 -
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品类: Flash芯片描述: SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip50295-49￥20.229350-199￥19.3648200-499￥18.8807500-999￥18.75971000-2499￥18.63862500-4999￥18.50035000-7499￥18.4139≥7500￥18.3274 -
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品类: Flash芯片描述: SST25VF040B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip309210-99￥6.5640100-499￥6.2358500-999￥6.01701000-1999￥6.00612000-4999￥5.96235000-7499￥5.90767500-9999￥5.8638≥10000￥5.8420 -
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品类: Flash芯片描述: SPI 2.7V至3.6V SOIC 1MB 33MHZ938510-99￥8.3160100-499￥7.9002500-999￥7.62301000-1999￥7.60912000-4999￥7.55375000-7499￥7.48447500-9999￥7.4290≥10000￥7.4012 -
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品类: Flash芯片描述: NAND FLASH, DENSITY 32GB, VOLTAGE 3.3V19131-9￥59.475010-99￥56.0625100-249￥53.5275250-499￥53.1375500-999￥52.74751000-2499￥52.30882500-4999￥51.9188≥5000￥51.6750 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST39SF040-70-4C-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚98775-49￥22.300250-199￥21.3472200-499￥20.8135500-999￥20.68011000-2499￥20.54672500-4999￥20.39425000-7499￥20.2989≥7500￥20.2036 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip420810-99￥9.0600100-499￥8.6070500-999￥8.30501000-1999￥8.28992000-4999￥8.22955000-7499￥8.15407500-9999￥8.0936≥10000￥8.0634 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip28465-49￥16.192850-199￥15.5008200-499￥15.1133500-999￥15.01641000-2499￥14.91952500-4999￥14.80885000-7499￥14.7396≥7500￥14.6704 -
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品类: Flash芯片描述: 闪存, 串行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, SPI, SDI, SQI, SOIJ, 8 引脚66475-49￥11.817050-199￥11.3120200-499￥11.0292500-999￥10.95851000-2499￥10.88782500-4999￥10.80705000-7499￥10.7565≥7500￥10.7060 -
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品类: EEPROM芯片描述: EEPROM Serial-2Wire 256Kbit 32K x 8 3.3V/5V 8Pin SOIC429110-99￥8.3880100-499￥7.9686500-999￥7.68901000-1999￥7.67502000-4999￥7.61915000-7499￥7.54927500-9999￥7.4933≥10000￥7.4653 -
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品类: Flash芯片描述: 串行 SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。35261-9￥60.707210-99￥57.2240100-249￥54.6365250-499￥54.2384500-999￥53.84031000-2499￥53.39252500-4999￥52.9944≥5000￥52.7456
